Из истории
В 1984 году согласно постановлению Президиума АН СССР № 1065 от 29.09.1983 года в городе Ярославле был создан Институт микроэлектроники (ИМ АН), его директором - организатором являлся академик Валиев Камиль Ахметович. Основная задача Института состояла в проведении фундаментальных исследований в области микроэлектроники. Для этих целей было выделено здание на улице Красноборской, дом 3. За два года были созданы помещения гермозоны и запущено в работу первое научное оборудование.
В 1989 году Институт построил второе здание на улице Университетской, дом 21 (ныне корпус «А»). Через два года были запущены чистые зоны, основное оборудование и получены первые экспериментальные образцы микросхем.
В 1999 году в рамках проводимой в Академии наук реорганизации ИМ АН был преобразован в Институт микроэлектроники и информатики (ИМИ РАН).
Ярославский Филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института Российской академии наук (ЯФ ФТИАН РАН) создан приказом по Физико-технологическому институту Российской академии наук от 12.12.2006 г. № 183-к во исполнение постановления Президиума Российской академии наук от 25.01.2006 г. № 20. ЯФ ФТИАН РАН является правопреемником Института микроэлектроники и информатики Российской академии наук (ИМИ РАН).
Согласно приказу Министерства науки и высшего образования Российской Федерации №701 от 18 сентября 2018 года:
- Федеральному государственному бюджетному учреждению Физико-технологическому институту Российской академии наук присвоено имя Камиля Ахметовича Валиева.
- Федеральное государственное бюджетное учреждение Физико-технологический институт Российской академии наук переименовано в Федеральное государственное бюджетное учреждение Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН).
- Ярославский Филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института Российской академии наук переименован в Ярославский Филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института имени К.А. Валиева Российской академии наук (ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН).
Главная цель Ярославского Филиала ФТИАН состоит в проведении фундаментальных и прикладных исследований в области элементной и технологической базы микро-наноэлектроники и микросистемной техники.
С 1984 года в институте подготовлено 30 кандидатов и 9 докторов наук. Сотрудниками института опубликовано более 600 работ, из них около 300 статей в рецензируемых отечественных и зарубежных изданиях, получено 25 патентов.