Тезисы и доклады конференций сотрудников ЯФ ФТИАН за 2010 год

  1. V. Ovcharov, V. Rudakov, A. Kurenya, S. Simakin. Diffusion simulation during RTA of plasma immersion ion implanted borom in SOI structure. International conference on modern problems in physics of surfaces and nanostructures (ICMPSN-2010), Yaroslavl, Russia, 2010 P3-16.
  2. V. Prigara, V. Ovcharov, V. Rudakov. SOI doping and its influrnse on a wafer temperature during RTA. ICMPSN-2010. O3-17.
  3. E. Bogoyavlenskaya, Yu. Denisenko, V. Naumov, V. Rudakov. The W/HfO2/Si(100) structures fabricated by RF magnetron sputtering. ICMPSN-2010. O1-4.
  4. Yu. Denisenko, V. Naumov, S. Simakin, V. Rudakov. Redistribution of constituent elements during Co silicidation process in Ti/Co/Ti/Si(100) systems. ICMPSN-2010. O3-3.
  5. V.V. Kostyuchenko Current induced transitions in molecular magnet V15. IV Euro-Asian Symposium “Trends in MAGnetism”: Nanospintronics. EASTMAG – 2010, June 28 – July 2, 2010, p. 46
  6. V.V. Kostyuchenko Toroidal moment and current induced transitions in the triangular molecular magnet V15. ICMPSN-2010. O2-4.
  7. E.Yu. Buchin, V.F. Bochkarev, D.A. Kokanov, and V.V. Naumov. Investigation of surface morphology and magnetoresistance of the granular Co-Cu films deposited by ion-plasmic method. ICMPSN-2010. O2-8.
  8. O.S. Trushin, V.V. Naumov, E.Yu. Buchin, V.F. Bochkarev. Optimization of spin-valve structures for GMR sensor applications. ICMPSN-2010. O2-6.
  9. S.P. Zimin, V.M. Vasin, E.S. Gorlachev, V.V. Naumov, E.Yu. Buchin. Investigations of morphological and structural properties of porous nanostructured lead chalcogenide films fabricated with the variation of anodic electrochemical treatment conditions. ICMPSN-2010. O3-9.
  10. Проказников А. В., Ваганова Е. И., Папорков., В. А., Рудь Н.А., Рудый А.С., Маковийчук М. И., Усиление эффективности фотоэлектрических элементов наноструктурированием поверхности, Fifth International Workshop, Relaxed, nonlinear and acoustic optical processes; materials – growth and optical properties, RNAOPM’2010, Ukrain, Lutsk, 2010, p. 118-122.
  11. Paporkov V. A., Rud N. A., Rudy A.S., Vaganova E. I., Prokaznikov A. V., Effectiveness enhancement of plasmonic photovoltaic elements by surface nanostructuring, ICMPSN-2010. O1-2.
  12. Prokaznikov A. V., Popov A.A., Mironenko A.A., Perminov A.V., Berdnikov A.E., Chernomordick V.D., Studying of current flow mechanism in structures with conductivity switching effect. ICMPSN-2010. P3-2.
  13. Ваганова Е.И., Мироненко А.А., Папорков В.А., Рудь Н.А., Рудый А.С., Проказников А.В., Усиление фотоэлектрического отклика наноструктурирование поверхности, Тезисы докладов VII Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2010», 2010, с. 249.
  14. O.Trushin, M. Aminpour, T.S. Rahman. Effect of misfit dislocation on surface diffusion. ICMPSN-2010
  15. О.В. Морозов, А.В. Постников, И.И. Амиров, В.А. Кальнов. Технология изготовления микроэлектромеханических устройств на основе изолированных областей в пластине кремния. // Материалы 16 Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России» Москва. 2010. 9-11 сентября С. 205-210.
  16. А.V. Postnikov, I. V. Uvarov, I. I. Amirov. Characterization of electrostatically-actuated metal microbeams. ICMPSN-2010. P3-16.
  17. И.И. Амиров, А.Н. Куприянов А.С.Шумилов, Н.В. Алов. Влияние ионной бомбардировки на состав и свойства слоя, образующегося на поверхности кремния во фторуглеродной плазме. // Тезисы докладов VII Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2010», с.246.
  18. M. Izumov, I. Amirov. Self-formation of microstructures at the deep quartz etching in high density fluorocarbon plasma ICMPSN-2010. O3-17.
  19. И.И. Амиров, В.В. Наумов. Формирование массивов наноигл на поверхности кремния при анизотропном, плазмохимическом его травлении через маску пленок хрома, кобальта и меди нанометровой толщины. // Тезисы докладов VII Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2010», 2010, с. 249.
  20. Zimin S. P., Vasin V. M., Gorlachev E. S., Naumov V.V., Petrakov A. P., Shilov S.V. Fabrication and study of porous PbTe layers on silicon substrates // Materials of the 7-th Intern. Conf. “Porous Semiconductors – Science and Technology”, Spain, 2010. P. 311-312.
  21. Zimin S. P., Vasin V. M., Gorlachev E. S., Buchin E. Yu., Naumov V.V. Investigations of PbSe porous layers by scanning electron microscopy and atomic force microscopy // Materials of the 7-th Intern. Conf. “Porous Semiconductors – Science and Technology”, Spain, 2010.- P. 436-437.
  22. Зимин С.П., Васин В.М., Горлачев Е.С., Наумов В.В. Исследование морфологии мезопор в пористых слоях теллурида свинца на кремнии // Труды XII международной конференции "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы". - Ульяновск: УлГУ, 2010. - С. 281-282.
  23. Зимин С.П., Горлачев Е.С., Амиров И.И., Наумов В.В. Самоформирование 1-D и 2-D наноструктур халькогенидов свинца под маской травления в ходе плазменной обработки // Труды международной конференции «INTERMATIC». - Москва, 2010
  24. S.P. Zimin, E.S. Gorlachev, V.V. Naumov, E.Yu. Buchin, H. Zogg Fabrication Of Porous Nanostructured Lead Chalcogenide Semiconductors For Modern Thermoelectric And Optoelectronic Applications// Нанофорум, Москва, 2010.
  25. A.E.Berdnikov, A.A.Popov, A.A.Mironenko, V.D.Chernomordick, A.V.Perminov, V.N.Gusev, Switch conductivity effect in dielectric films with different incorporated clusters. ICMPSN-2010. P3-2.
  26. A.Berdnikov , A. Popov , V.Alekseev, A. Perminov, Switching conductivity effect is promising direction of non-volatile memory devices creation. ICMPSN-2010. O3-18.
  27. Бердников А.Е., Попов А.А., Мироненко А.А., Перминов А.В., Черномордик В.Д. Влияние добаки азота на эффект переключения проводимости в МДП-подобных структурах на базе нестехиометрического кремния. // Тезисы докладов VII международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологи и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Нижний Новгород, 6-9 июля 2010г. С.160.
  28. А.А. Попов, А.В. Перминов, А.Е. Бердников, А.А. Мироненко, В.Д. Черномордик Эффект переключения проводимости в диэлектрических пленках: возможные механизмы. // В сб.трудов VII международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники. С.-Пб, 28 июня - 1 июля 2010г.
  29. V. Stepanov, A. Churilov Electron-hole plasma in a one-dimensional parallel wires system. ICMPSN-2010. P3-19.
  30. N. Savinski, M. Gitlin, A. Rusakov, V. Naumov // Scalable up process production carbon nanotube CNT by means catalytic pyrolysis ethanol on heterogeneous catalyst. ICMPSN-2010. 03-16.
  31. N. Savinski, V. Naumov //Solution combustion synthesis of nano oxide catalysts for growth carbon nano tube and nano wire. ICMPSN-2010. P3-8.
  32. N. Savinski, V. Naumov // Nano particle Ag has been prepared by photo - polyol methods. ICMPSN-2010. P3-10
  33. N. Savinski, M.Gitlin.// Carbon nanotube emitter matrixs based autoemission devices. ICMPSN-2010. P3-11.
  34. N. Savinski // Template synthesis of water soluble PANI. ICMPSN-2010. P3-8
  35. N. Savinski , M. Gitlin, A. Rusakov , V. Naumov, V.Orlov // Growth of carbon nanotubes on multilayers films surface. Материалы 16 международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России» Москва 2010 9-11 сентября. p.P3-6.
  36. N. Savinski // Design of 3d nano-carbon emitter based autoemission devices. Материалы 16 международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России» Москва 2010 9-11 сентября pp.241-246
  37. Савинский Н.Г. // Матричный синтез водорастворимого полианилина. Материалы 16 международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России» Москва 2010 9-11 сентября pp.273-282.
  38. Маковийчук М.И. Методические и технологические особенности изготовления газочувствительных структур на основе кремния – фликкер-шумовых газовых сенсоров. // Proceed. Fifth Int. Workshop “Relaxed, Nonlinear and Acoustic Optical Processes; Materials – Growth and Optical Properties” – RNAOPM-2010. (June 01 – 05, 2010, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2010. – P.174 – 177.
  39. Маковийчук М.И. Анализ результатов, проблем и перспектив фликкер-шумовой спектроскопии. // Proceed. Fifth Int. Workshop “Relaxed, Nonlinear and Acoustic Optical Processes; Materials – Growth and Optical Properties” – RNAOPM-2010. (June 01 – 05, 2010, Lutsk, Ukraine). – Lutsk: Volyn University Press “Vezha”, 2010. – P.178 – 181.
  40. Маковийчук М.И. Фликкер-шумовая спектроскопия – перспективный аналитический метод исследования поверхности. // Труды XI Международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии» (24 – 28 мая 2010г., Одесса, Украина). – Одесса: ОНПУ, 2010. - Т.2. – С.113.
  41. Makoviychuk M.I. Potential applications of low-frequency noise spectroscopy to the development of flicker-noise gas microsensor. ICMPSN-2010. P3-12.
  42. Makoviychuk M.I. Adsorption-desorption flicker noise spectroscopy. ICMPSN-2010. – Yaroslavl. P3-13.
  43. Aminov M.K., Makoviychuk M.I., Parshin E.O. Development of 3D-formation on the surface of SIMOX-structure of flicker-noise gas sensor. ICMPSN-2010. P3-14.
  44. Маковийчук М.И. Новое поколение газоаналитических сенсоров. // Proceed. 4th Int. Scientific and Technical Conf. “Sensors Electronics and Microsystems Technology” – SEMST-4 (June 28- July 2, 2010, Odessa, Ukraine). –С.44.
  45. Маковийчук М.И. Новые подходы к формированию КНИ-фликкер-шумовых газовых сенсоров. // Труды XX Международного совещания «Радиационная физика твердого тела». (2010г., Севастополь). - М.: ГНУ «НИИ ПМТ», 2010. – Т.2. - С. 518 – 525.
  46. Маковийчук М.И. Низкочастотно-шумовая спектроскопия структурно-неупорядоченных полупроводников. // Труды VII Международной школы-конференции «Актуальные проблемы физики полупроводников». (28 сентября – 1 октября 2010г., Дрогобыч, Украина). – Дрогобыч: ИФМИ ДДПУ, 2010. - С. 26 – 27.
  47. Маковийчук М.И. Адсорбционно-десорбционная фликкер-шумовая спектроскопия – перспективный метод экологического мониторинга окружающей среды. // Материалы докладов 41 ого Международного научно-методич. семинара "Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: МЭИ, 2010. С. 170-176.
  48. Makoviychuk M.I. Applied aspects of low-frequency noise spectroscopy. // Труды VI Международной конференции «Электроника и прикладная физика». (20 – 23 октября 2010г., Киев). – Киев: КНУ им. Т.Шевченко, 2010. – С. 56 – 57.
  49. Makoviychuk M.I. Silicon-on-Insulator Flicker-Noise Gas Sensor. // Proceed. 6th International SemOI Workshop "Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Materials, Sensors and Devices". (24-28 October, 2010, Kyiv, Ukraine). – Kiev: Inst. of Semicond. Phys., NASU, 2010. – P. 103 – 104.
  50. Маковийчук М.И. Физические основы SIMBOX - и SIMPOX – технологий. // Материалы III Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». (26 – 29 октября 2010 г., Нижний Новгород). – Н.-Новгород: НИФТИ, 2010. – С.72 – 73.
  51. Соболев Н.А., Калядин А.Е., Шек Е.И., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Паршин Е.О., Маковийчук М.И. Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами эрбия при повышенной температуре. // Материалы III Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». (26 – 29 октября 2010 г., Нижний Новгород). – Н.-Новгород: НИФТИ, 2010. – С.26 – 27.
  52. Gorlachev E. S., Mordvintsev V. M., Levin V. L. Development of the atomic force microscopy research technique for the nanostructures on the vertical edge of thin insulating film. ICMPSN-2010. O3-15.
  53. E.Fedorov, V.Naumov, V.Paporkov, N.Zvezdin. Magnetooptical investigation of exchange interacting in Py/Cu/Co structure. ICMPSN-2010. P2-4.
Публикации сотрудников ЯФ ФТИАН за 2010 год

Лаборатории

Новости и события
Подготовка индивидуальных рейтинговых показателей
20.11.2017
Конкурс на замещение вакантной научной должности
01.11.2017
Конкурс на замещение вакантной научной должности
17.07.2017
Конкурс на замещение вакантной научной должности
03.07.2017
ICMPSN 2017
19.04.2017
12.04.2017: Выборы директора ФТИАН РАН
06.04.2017
Выборы директора ФТИАН РАН
24.03.2017
Конкурс на замещение вакантных научных должностей
16.02.2017
Семинар 1 февраля 2017
25.01.2017
Конкурс на замещение вакантных научных должностей
23.01.2017
Контактная информация
Корпус А
150007, г. Ярославль, ул. Университетская, д. 21
+7 (4852) 24-65-52 (приемная)
+7 (4852) 24-09-55 (бухгалтерия)
Корпус Б
150055, г. Ярославль, ул. Красноборская, д. 3
+7 (4852) 24-53-53