Публикации сотрудников ЯФ ФТИАН за 2010 год

  1. Орликовский А. А., Лукичев В. Ф., Руденко К. В., Рудый А. С. Критические элементы нанотранзисторов: физика, технология, материалы. Интеграл, 2010, №4, с. 10. (PDF)
  2. Рудый А.С., Скундин А.М., Кулова Т.Л. Наноматериалы в тонкопленочных литий-ионных аккумуляторах. Интеграл, 2010, Т. 51, №1, с. 19-23.
  3. В. И. Рудаков, В.В. Овчаров, И.П. Пригара. Влияние шероховатой поверхности кремниевой пластины на ее температуру при нагреве некогерентным излучением. Микроэлектроника, 2010,том 39, № 1, с. 3-13.
  4. J. Jalkanen, G. Rossi, O.Trushin, E.Granato, T. Ala-Nissila, S.-C. Ying Stress release mechanisms for Cu on Pd(111) in the submonolayer and monolayer regimes // Physical Review B, 2010, v.81, p.041412(R)
  5. Мордвинцев В. М., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л., Цветкова Л. А. Влияние давления газовой среды и длительности управляющих импульсов на стабильность характеристик элементов памяти на основе электроформованных структур Si-SiO2-W // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 5. С. 337-347.
  6. A. Khorin, Yu. I. Denisenko, V. N. Gusev, A. A. Orlikovsky, A. E. Rogozhin, V. I. Rudakov, and A. G. Vasiliev. Hf-based barrier layers for Cu-metallization. Proc. SPIE 7521, 75210J. Online Publication Date: Feb 26, 2010.
  7. A. E. Rogozhin, I. A. Khorin, V. V. Naumov, A. A. Orlikovsky, V. V. Ovcharov, V. I. Rudakov, and A. G. Vasiliev. CoSi2/TiO2/SiO2/Si gate structure formation. Proc. SPIE 7521, 75210L. Online Publication Date: Feb 26, 2010
  8. А.А. Залуцкая, А.В. Проказников. Плазмонные эффекты на краевых модах. Вестник ЯрГУ им. П.Г. Демидова. 2010. № 2. С. 31-37.
  9. Маковийчук М.И., Чапкевич А.Л., Чапкевич А.А. Перспективы развития фликкер-шумовой газовой сенсорики. Русский инженер. 2010. №3-4(26-27). С.30.
  10. Каулина Т.В., Япаскурт В.О., Пресняков С.С., Савченко Е.Э., Симакин С.Г. Метаморфическая эволюция архейских эклогитоподобных пород района Широкой и Узкой Салмы (Кольский полуостров): геохимические особенности циркона, состав включений и возраст. Геохимия. 2010. № 9. С. 926-945.
  11. Звездин Н.Ю., Наумов В.В., Папорков В.А., Трушин О.С., Фёдоров Е.С. Магнитооптическое исследование обменно-взаимодействующих слоёв многослойных тонкоплёночных структур. Вестник Ярославского государственного университета им. П.Г. Демидова. Серия Естественные и технические науки. 2010. № 1. С. 41-49.
  12. Tichonov I.V., Roginsky V., Pliss E. Natural polyphenols as a chain-breaking antioxidant during methyl linoleate peroxidation in bulk. European Journal Lipid Science and Technology. 2010. Vol. 112, Issue 8. P. 887.
  13. Плисс Е.М., Гробов А.М., Постнов М.Г., Лошадкин Д.В., Тихонов И.В., Русаков А.И. Кинетические особенности окисления стирола в присутствии стабильных нитроксильных радикалов. Башкирский хим. журнал. 2010. Т. 17. № 2. С. 14.
  14. Плисс Е.М., Гробов А.М., Постнов М.Г., Лошадкин Д.В., Тихонов И.В., Русаков А.И. Многократный обрыв цепей окисления винильных мономеров алифатическими стабильными нитроксильными радикалами. Башкирский хим. журнал. 2010. Т.17. № 2. С. 25.
  15. И.И. Амиров, О.В. Морозов, А.В. Постников, В.А. Кальнов, А.А. Орликовский, К.А. Валиев. Способ формирования электрически изолированных областей кремния в объеме кремниевой пластины. Патент на изобретение №2403647. Зарегистрировано. 10.10.2010.
  16. Prigara F.V. Effect of charge ordering on superconductivity in high-temperature superconductors. arXiv:1011.2359 (2010)
  17. Prigara F.V. Charge gap, lattice distortion, and ferroelastic fluctuations in high-temperature superconductors. arXiv:1001.4152 (2010)
  18. Prigara F.V. The metal-insulator transition and lattice distortion in semiconductors. arXiv:1001.3061 (2010)
Тезисы и доклады конференций сотрудников ЯФ ФТИАН за 2010 год

Лаборатории

Новости и события
Конкурс 01.04.2024
01.04.2024
Конкурс 01.03.2024
01.03.2024
Конкурс 27.11.2023
27.11.2023
Конкурс 01.11.2023
01.11.2023
Конкурс 11.10.2023
11.10.2023
Конкурс 02.10.2023
02.10.2023
Конкурс 17.05.2023
17.05.2023
Конкурс 03.03.2023
03.03.2023
Конкурс 21.12.2022
21.12.2022
Конкурс на замещение вакантных научных должностей
01.12.2022
Контактная информация
Корпус А
150067, г. Ярославль, ул. Университетская, д. 21
+7 (4852) 24-65-52 (приемная)
+7 (4852) 24-09-55 (бухгалтерия)
Корпус Б
150055, г. Ярославль, ул. Красноборская, д. 3
+7 (4852) 24-53-53