ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН

2006 год

1. Kostyuchenko V.V., Kostyuchenko M.V. Exchange interactions in a ferrimagnetic ring. Proc. SPIE, v. 6260, p. 62600W (2006)
2. Buchin Ed. Yu., Denisenko Yu.I. Use of thermomigration in MEMS technology. Proceeding SPIE, Vol. 6260, P. 486-495. (2006).
3. Krivelevich S.A., Denisenko Yu.I., Buchin Ed. Yu., Selukov R.V. Diffusion and phase formation in ternary silicate systems framed by an ion bombardment. Proceeding SPIE, Vol. 6260, P. 52-59. (2006).
4. Rudakov V.I., Ovcharov V.V. Influence of thermodiffusion parameters on the concentration profiles. Proceedings of SPIE, 2006. V. 6260. P.OR-1-OR-10.
5. Rudakov V.I., Mochalov B.V., Plis N.I. Thermomigration technology for silicon ball grid array package fabrication. Proceedings of SPIE, 2006. V. 6260. P.1R-1-1R-8.
6. Амиров И.И., Алов Н.В. Осаждение фторуглеродной полимерной пленки в плазме высокочастного индукционного разряда в перфторциклобутане и его смесей с гексафторидом серы. Химия высоких энергий. 2006. Т.36. №4. С. 35.

2005 год

1. Yafeng Lu, M. Przybylski, O. Trushin, W.H. Wang, J. Barthel, E. Granato, S. C. Ying, and T. Ala-Nissila. Strain Relief in Cu-Pd Heteroepitaxy. Phys. Rev. Lett. 94, 146105 (2005)
2. J. Jalkanen, O. Trushin, E. Granato, S.C. Ying, and T. Ala-Nissila. Equilibrium shape and dislocation nucleation in strained epitaxial nanoislands. Phys. Rev. B 72, 081403(R) (2005)
3. Oleg Trushin, Altaf Karim, Abdelkader Kara, and Talat S. Rahman. Self-learning kinetic Monte Carlo method: Application to Cu(111). Phys. Rev. B 72, 115401 (2005)
4. Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Селюков Р.В. Сечения возбуждения и девозбуждения излучающих нанокластеров в кремнии, легированном редкоземельными элементами. ФТТ. 2005. Т.47, вып. 1. С. 13.
5. Амиров И.И., Изюмов М.О., Морозов О.В. Плазмохимический реактор низкого давления для травления и осаждения материалов. Патент на изобретение №2293796.
6. Амиров И.И., Морозов О.В.Способ формирования субмикронной и нанометровой структуры. Патент на изобретение №2300158.
7. Бучин Э.Ю., Денисенко Ю.И. Использование метода термомиграции в MEMS технологии. “Нано- и микросистемная техника”, 2005, № 9. С.29-34.
8. Никитчук С.А., Лоханин М.В., Проказников А.В., Рудь Н.А., Световой В.Б., Анизотропия магнитных свойств кластеров никеля, Письма в ЖТФ, 2005, т.31, вып. 12, с. 48-55.
9. Каплий С., Проказников А.В., Рудь Н.А., Дискретная модель адсорбции с конечным числом состояний, ЖТФ, 2005, т. 75, вып. 12., с. 1-9.

2004 год

1. Barbara B., Kostyuchenko V.V., Mischenko A.S., Zvezdin A.K. Field-induced phase transitions (FIPT) in molecular magnets. Physica Status Solidi (c), v. 1, № 7, p. 1595 – 1599 (2004)
2. Zvezdin AK, Kostyuchenko VV, Platonov VV, Plis VI, Popov AI, Selemir VD, and Tatsenko OM. Molecular nanoclusters in magagauss fields. in V. Selemir, L. Plyashkevich, eds., MEGAGAUSS-9, Sarov: VNIIEF. p. 495–499 (2004)
3. O.S. Trushin, P. Salo, T. Ala-Nissila, and S.C. Ying. Searching for transition paths in multidimensional space with a fixed repulsive bias potential. Phys. Rev. B 69, 033405 (2004)
4. Амиров И.И., Морозов О.В., Изюмов М.О., Кальнов В.А., Орликовский А.А., Валиев К.А. Плазмохимическое травление глубоких канавок в кремнии с высоким аспектным отношением для создания различных элементов микромеханики. Микросистемная техника. 2004. Т. 12. С. 15.
5. Бучин Э.Ю., Денисенко Ю.И., Симакин С Г. Структура термомиграционных каналов в кремнии. Письма в ЖТФ, 2004, т. 30, вып. 5, с. 70-75.
6. Маковийчук М.И., Паршин Е.О., Чапкевич А.Л. Фликкер-шумовая спектроскопия термодоноров в кремнии. Проектирование и технология электронных средств. 2004. N3. С. 54.
7. Казин В.Н.,Савинский Н.Г.,Сибриков С.Г.,Сапожникова Н.Г Пути превращений нитрозамещенных 1,1,1-трихлор-2,2-диарилэтанов в реакции с нитритом натрия в ДМФА: квантово-химическое рассмотрение. Известия вузов. Сер.: Химия и химическая технология. 2003. Т. 47. Вып. 6. 2003. С. 28.
8. Рудаков В.И., Башмаков А.В., Овчаров В.В. Моделирование процесса удаления примесей из полупроводниковых пластин в неоднородном температурном поле. ПЖТФ. 2004. Т. 30, вып. 5, с. 54-59.
9. Rudakov V.I., Ovcharov V.V., Bashmakov A.V. Modeling diffusion of ion implanted impurity in silicon under a temperature gradient. Proceedings of SPIE. 2004, vol. 5401, P. 662.
10. Савинский Н.Г.,Яблонский О.П. Реакции силилирования полиимидных пленок межслойных диэлектриков для многоуровневой коммутации сверхбольших интегральных схем (СБИС). Реакционная способность силилированных мономеров. Известия вузов. Сер.: Химия и химическая технология. 2004. Т. 47. Вып. 6. 2004. С. 65.
11. Савинский Н.Г.,Яблонский О.П. Реакции силилирования полиимидных пленок межслойных диэлектриков для многоуровневой коммутации сверхбольших интегральных схем (СБИС). Реакция ацилирования аминов и их силилированных аналогов. Известия вузов. Сер.: Химия и химическая технология. 2004. Т. 47. Вып. 6. 2004. С. 70.
12. Савинский Н.Г.,Яблонский О.П. Реакции силилирования полиимидных пленок межслойных диэлектриков для многоуровневой коммутации сверхбольших интегральных схем (СБИС). Реакции полигетероциклизации силилированных полиамидов. Известия вузов. Сер.: Химия и химическая технология. 2004. Т. 47. Вып. 6. 2004. С. 73.
13. Savinskii N.G. The polyimides photoresist for multilevel-interconnect. VLSI technology. Proceeding of SPIE Micro- and Nanoelectronics 2003. Vol. 5401. May, 2004. P136.
14. Machin M., Gitlin M., Savinskii N.G. Automatical optimization of pupil filter of high resolution photolithography. Proceeding of SPIE Micro- and Nanoelectronics 2003. Vol. 5401. May, 2004. P. 41.
15. Наумов В.В., Бочкарев В.Ф., Горячев А.А., Куницын А.С., Ильяшенко Е.И., Гоа П.Е., Иохансен Т.Х. Влияние низкоэнергетичной ионной бомбардировки на кристаллическую структуру и сверхпроводящие свойства пленок ниобия. ЖТФ. 2004. Т. 74. Вып. 4. С. 48.
16. Каплий С.А., Проказников А.В., Рудь Н.А., Формирование кластеров в детерминированных и стохастических полях, ЖТФ, 2004, т. 74, вып. 5, с. 6-11.
17. Каплий С.А., Проказников А.В., Рудь Н.А., Дискретная модель адсорбции с тремя состояниями, Письма в ЖТФ, 2004, т. 30, вып. 14, с. 46-52.
18. Каплий С.А., Проказников А.В., Рудь Н.А., Кластеризация стохастически блуждающих частиц в потенциальных полях, Известия ВУЗов. Физика, 2004, № 6, с. 31-38.

2003 год

1. Костюченко В.В., Звездин А.К. Обменные константы в молекулярном магнитном нанокластере V15. ФТТ. Т. 45. № 5. С. 861 (2003).
2. Kostyuchenko V.V., Zvezdin A.K. Phase transitions in magnetics with two compensation points induced by magnetic field directed perpendicular to the easy axes. J. Magn. Magn. Mater., v. 258-259, p. 548–550 (2003).
3. Kostyuchenko V.V., Markevtsev I.M., Philippov A.V., Platonov V.V., Selemir V.D., Tatsenko O. M., Zvezdin A.K., and Caneschi A. Ferrimagnetic ring Mn6R6 in megagauss fields. Phys. Rev. B, v. 67, № 18, p. 184412 (2003).
4. Prokaznikov A.V., Buchin Ed. Yu. Synchronization effects of microscopic regions during silicon anodization in HF solutions. Physics of Low-Dimensional Structures, 2003, 7/8, P. 69-76.
5. O. Trushin, E. Granato, S. C. Ying, P. Salo, and T. Ala-Nissila. Energetics and atomic mechanisms of dislocation nucleation in strained epitaxial layers Phys. Rev. B 68, 155413 (2003)
6. O. S. Trushin, P. Salo, T. Ala-Nissila, and S. C. Ying. Searching for transition paths in multidimensional space with a fixed repulsive bias potential. PHYSICAL REVIEW B 69, 033405 (2004)
7. Amirov I.I., Zhuravlev I.V., Kibalov O.S., Lepshin P.A., Smirnov V.K. Plasmachеmical etching of wave-orderid structure formed on amorfhous silicon surface by nitrogen ion bombudment. Phys. Low-Dim. Struct. 2003. V.9/10. P.51-58.
8. Амиров И.И., Морозов О.В., Изюмов М.О. Травление кремния и диоксида кремния в высокоплотной плазме ВЧИ разряда низкого давления. Химия высоких энергий. 2003. Т. 37. №5. С. 373.
9. Емельянов А.М., Николаев Ю.А., Соболев Н.А., Маковийчук М.И., Паршин Е.О., Пиццини С. Влияние температуры отжига (100) Si:(Er,O) – диодов на электролюминесценцию в области длин волн 1.0 – 1.06 мкм при комнатной температуре. Известия РАН. Серия физическая. 2003. Т. 67. №2. С.280.
10. Соболев Н.А., Емельянов А.М., Шек Е.И., Бесюлькин А.Н., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Усиков А.С., Шмидт А.М., Маковийчук М.И., Паршин Е.О. Влияние постимплантационного отжига на фотолюминесценцию в имплантированных ионами Er сверхрешетках AlGaN/GaN. Известия РАН. Серия физическая. 2003. Т.67. №2. С. 277.
11. Соболев Н.А., Емельянов А.М., Шек Е.И., Бесюлькин А.И., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Усиков А.С., Шмидт Н.М., Маковийчук М.И., Паршин Е.О. Фотолюминесценция в имплантированных ионами Er сверхрешетках AlGaN/GaN и монокристалических слоях GaN. Светодиоды и лазеры. 2003. № 1-2. С.64.
12. Савинский Н.Г., Сапожникова Н.Г., Сибриков С.Г., Казин В.Н. Закономерности реакции 1,1-дхлор-2,2-бис(4-нитрофенил)этилена и 1-хлор-2,2-бис(4-нитрофенил)этилена с NaNO2 в ДМФА и возможные пути превращений. Известия вузов. Сер.: Химия и химическая технология. 2003. Т. 46. Вып. 5. 2003. С. 26.
13. Filimonov S.I., Savinsky N.G., Evstigneeva E.M. Reactions of resorcinols with ketons. Mendeleev Commun. 2003. № 4. P. 194.
14. Сибирков С.Г., Сапожникова Н.Г., Савинский Н.Г., Миронов Г.С., Казин В.Н. Химические превращения 1,1,1-трихлор-2,2-диарилэтанв при взаимодействии с нитритом натрия в апротонных диполярных растворителях. Химическая технология. 2003. № 6. С. 13.
15. Бочкарев В.Ф., Баринов С.М., Наумов В.В., Горячев А.А., Орловский В.П., Рустичелли Ф., Жирарден Э., Хрусталев А.В., Трушин О.С., Туманов С.В., Оскарсон С. Формирование двухслойного гидроксиапатитового покрытия на титановой подложке. Перспективные материалы. 2003. №6. С. 55.
16. Наумов В.В., Бочкарев В.Ф., Горячев А.А., Куницын А.С. Ориентированный рост пленок ниобия в условиях ионной бомбардировки. Инженерная физика. 2003. № 1. С. 2.

2002 год

1. Звездин А.К., Костюченко В.В., Платонов В.В., Плис В.И., Попов А.И., Селемир В.Д., Таценко О.М. Магнитные молекулярные нанокластеры в сильных магнитных полях. УФН. 172 1303–1306 (2002)
2. Костюченко В.В. Доменные границы в магнитных мультислоях с биквадратичным обменом. ФТТ. Т. 44. № 1. С. 93 (2002).
3. Rudakov V.I. and Smirnov I.M. Forming PbTe on Si-substrates for IR sensors. J. Phys. IV France. 2002. V. 12, N. 3. P. 75.
4. Rudakov V.I., Ovcharov V.V. Mathematical description of the diffusion in a temperature field and measuring the heat of transport. Int. J. of Heat and Mass Transfer. 2002. V. 45. N. 4. P. 743.
5. O. Trushin, E. Granato, S-C. Ying, T. Ala-Nissila, P. Salo. Mechanisms of dislocation nucleation in strained epitaxial layers. Physica Status Solidi B, v 232, N1, p.100-105 (2002).
6. O. Trushin, E. Granato, S. C. Ying, P. Salo, and T. Ala-Nissila. Minimum energy paths for dislocation nucleation in strained epitaxial layers. Phys. Rev. B 65, 241408(R) (2002)
7. Аристов В.Ф., Бучин Э.Ю., Постников А.В. Новая технология изготовления полимерных микропористых мембран. Письма в ЖТФ, 2002. Т. 28, вып. 14, С. 64-68.
8. Бучин Э.Ю., Денисенко Ю.И., Рудаков В.И. Формирование сквозных отверстий в кремниевой подложке. ПЖТФ, 2002, том 28, вып. 24. С. 75.
9. Бучин Э.Ю., Денисенко Ю.И., Рудаков В.И. Формирование сквозных отверстий в кремниевой подложке. Письма в ЖТФ, 2002, Т. 28, вып. 24, С. 75-79.
10. Sobolev N.A., Emel’yanov A.M., Shek E.I., Sakharov V.I., Serenkov I.T., Nikolayev Yu.A., Vdovin V.I., Yugova T.G., Makoviychuk M.I., Parshin E.O., Pizzini S. Structural defects and dislocation-related photoluminescence in erbium-implanted silicon. Materials Science and Engineering. 2002. V. 92B. P. 167.
11. Денисенко Ю.И., Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Паршин Е.О. Способ ионного синтеза в кремнии захороненного слоя изолятора. Патент РФ № 2193803. Дата публикации 27.11.2002.
12. Рудаков В.И., Овчаров В.В., Пригара В.П. Метод исследования поверхности тела с помощью радиационных характеристик в системе с радиационным теплообменом. Микросистемная техника, 2002, том.11, с. 15.
13. Рудаков В.И., Овчаров В.В. Эволюция Гауссового профиля в температурном поле. Микроэлектроника, 2002, том 31, № 2.
14. Савинский Н.Г., Филимонов С.И., Ваганова Е.И., Романов А.Н., Яблонский О.П. Влияние структурно-физических характеристик светочувствительных компонентов – производных 1-нафтохитон-2-диазида-5-сульфоэфиров и технологические свойства фоторезиста. Известия вузов. Сер.: Химия и химическая технология. 2002. Т. 45. Вып. 1. С. 82.
15. Лаптев А.Н., Проказников А.В., Рудь Н.А., Автоколебательные процессы в сенсорных структурах на основе низкоразмерных систем, Микросистемная техника, 2002, № 6, с.31-40.
16. Prokaznikov A.V., Svetovoy V.B., Fluorine Penetration Through the Whole Silicon Wafer During Anodization in HF Solution, Phys. Low-Dim. Structures, 2002, v.9/10, pp.65-69.

2001 год

1. Trushin O.S., Salo P., Alatalo M., Ala-Nissila T. Atomic mechanisms of cluster diffusion on metal fcc(100) surfaces. Surface Science, v. 482-465, (2001), p. 365-369.
2. Salo P., Hirvonen J., Koponen I.T., Trushin O.S., Heinonen J. and Ala-Nissila T. Role of concerted atomic movements on the diffusion of small islands on fcc(100) metal surfaces. Phys. Rev. B 64, 161405(R) (2001)
3. O. Trushin, E. Granato, S-C. Ying, T. Ala-Nissila, P. Salo Misfit dislocation nucleation in heteroepitaxy. Brasilian Journal of Physics, 2001.
4. Звездин А.К., Костюченко В.В. Индуцированные магнитным полем фазовые переходы в молекулярных ферримагнетиках с двумя точками компенсации. ФТТ. Т. 43. № 9. С. 1646-1650 (2001).
5. Kostyuchenko V.V., Zvezdin A.K. Domain walls in magnetic multilayers. Mater. Science Forum. V. 373. P. 129–132 (2001).
6. Kostyuchenko V.V., Zvezdin A.K. Field induced phase transitions in a Prussian blue analog magnet exhibiting two compensation temperatures. Mater. Science Forum. V. 373. P. 445–448 (2001).
7. Наумов В.В., Бочкарев В.Ф., Трушин О.С., Горячев А.А., Хасанов Э.Г., Лебедев А.А., Куницын А.С. Исследования влияния низкоэнергетичной ионной стимуляции на плотность и структуру тонких пленок. ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып.8. С. 92.
8. Кузнецов В.С., С.А. Огородников, М.Н. Перображенский, А.В. Проказников, Некоторые особенности акустической микроскопии для микрометрологии.- Микроэлектроника, 2001, т.30, № 1, с.35-40.

2000 год

1. O.S. Trushin, P. Salo, and T. Ala-Nissila Energetics and many-particle mechanisms of two-dimensional cluster diffusion on Cu(100) surfaces. Physical review B, v 62, N 3 , p. 1611-1614 (2000).
2. F. Maca, M. Kotrla, O.S. Trushin Energy barriers for diffusion on stepped Rh(111) surfaces. Surface Science, v.454-456 (2000) p. 579-583.
3. Амиров И.И., Федоров В.А. Анизотропное травление субмикронных структур в резисте в кислородсодержащей плазме ВЧ индукционного разряда. Микроэлектроника. 2000. Т.29. N1. С. 32-41.
4. Амиров И.И., Федоров В.А. Создание 0.5 мкм структур методом «сухой» электроно-литографии и плазменных анизотропных процессов травления. Микроэлектроника. 2000. Т. 29. №5. С. 311.
5. Амиров И.И. О механизме взрывного травления пленки полиамидокислоты в неравновесной кислородной плазме. ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 5. С. 106.
6. Амиров И.И., Буяновская П.Г. Нестационарный совместный процесс травления и имидизации пленки полиамидокислоты в неравновесной кислородной плазме. Химия высоких энергий. 2000. Т. 34. №6. С. 451.
7. Морозов О.В., Амиров И.И. Осаждение пленок SiO2 в SiH4+O2 плазме ВЧ-индукционного разряда низкого давления. Микроэлектроника. 2000. Т.29. N3. С. 170.
8. Рудаков В.И., Мочалов Б.В. Влияние градиента температуры на окисление кремния. Микроэлектроника, 2000, том 29, № 2.
9. Рудаков В.И., Денисенко Ю.И., Мочалов Б.В. Низкотемпературный отжиг SIMOX-структур в неоднородном температурном поле. Микроэлектроника, 2000, том 29, № 5.
10. Соболев Н.А., Емельянов А.М., Кютт Р.Н., Николаев Ю.А., Шек Е.И., Александров О.В., Захарьин А.О., Вдовин В.И., Маковийчук М.И., Паршин Е.О., Якименко А.Н. Светоизлучающие структуры монокристаллического кремния, легированного эрбием, гольмием и иттербием: структурные, электрические и оптические свойства. Изв. РАН. Серия физическая. 2000. Т. 64. №2. С. 258.
11. Маковийчук М.И. Фундаментальные и прикладные аспекты фликкер-шумовой спектроскопии: ионно-имплантированный кремний. Микроэлектроника. 2000. Т. 29. № 4. С. 247.
12. Трушин О.С., Бочкарев В.Ф., Наумов В.В. Моделирование процессов эпитаксиального роста пленок в условиях ионно-плазменного напыления. Микроэлектроника. 2000. Т. 29. № 4. С. 296.
13. Трушин О.С., Бочкарев В.Ф., Горячев А.А., Наумов В.В., Лебедев А.А. Определение средней плотности тонких пленок по данным рентгеновской флуоресцентной спектроскопии. Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2000. № 10. Т. 66. С. 39.
14. Лаптев А.Н., Проказников А.В., Рудь Н.А. Автоколебательные процессы в структурах на основе пористого кремния. - Письма в ЖТФ, 2000, т.26, вып.23, с.47-54

1999 год

1. Амиров И.И., Буяновская П.Г. Особенности травления пленки полиамидокислоты в кислородной и аргоновой плазме ВЧ индуктивного разряда. Химия высоких энергий. 1999. Т. 33. № 1. С. 422.
2. Амиров И.И., Изюмов М.О. Ионно-инициированное травление полимерных пленок в кислородсодержащей плазме высокочастотного индукционного разряда. Химия высоких энергий. 1999. Т.33. N2. С. 160.
3. Звездин А.К., Костюченко В.В. Индуцированные полем спин-переориентационные переходы в магнитных сверхрешетках с одноосной анизотропией и биквадратичным обменом. ФТТ. Т. 41. № 3. С. 461-463 (1999).
4. Звездин А.К., Костюченко В.В. Нелинейная динамика доменных границ в системе их двух магнитных слоев. ЖЭТФ. Т. 116. № 4 (10). 1365-1374 (1999).
5. Trushin O.S., Kokko K., Salo P.T. Film-substrate interface mixing in the energetic deposition of Ag on Cu(001). Surface Science, v. 442 (1999), p. 420-430.
6. Maca F., Kotrla M., Trushin O.S. Energy barriers for diffusion on stepped Pt(111) surface. Vacuum, v.54 (1999) p. 113-117.
7. S.P. Zimin, M.N. Preobrazhensky, D.S. Zimin, R.F. Zaykina, G.A. Borzova, V.V. Naumov Growth and properties of PbTe films on porous silicon. Infrared Physics & Technology, v.40 (1999) p. 337-342.
8. Кузнецов В.С., Проказников А.В., Явления самоорганизации при деформационно- тепловой неусточивости в ходе анодного травления кремния в растворе HF, Письма в ЖТФ, 1999, т. 25, N 6, с. 81- 88.
9. Babanov Yu.E., Buchin E.Yu., Prokaznikov A.V., Rud N.A., Svetovoy V.B., Electroluminescence from quantum dots in n- type porous silicon, Phys. Low-Dim. Struct., 1999, v.7/9, p.77-80.

1998 год

1. Kostyuchenko V.V., Zvezdin A.K. Field-induced spin-reorientation transitions in magnetic multilayers with cubic anisotropy and biquadratic exchange. Phys. Rev. B 57, 5951–5954 (1998).
2. N. Levanov, V.S. Stepanyuk, W. Hergert, O.S. Trushin, K. Kokko Molecular dynamics simulation of Co thin films growth on Cu(001). Surface Science , v 400 (1998) p.54-60.
3. Амиров И.И., Бердников А.Е., Изюмов М.О. Процессы травления резистов в ректоре с ВЧ-индуктивным источником плазмы. Микроэлектроника. 1998. Т. 27. № 1. С. 22.
4. Амиров И.И., Федоров В.А., Савинский Н.Г., Буяновская П.Г., Изюмов М.О. Травление плазмополимеризованных кремнийсодержащих органических пленок в кислородной плазме. Химия высоких энергий. 1998. Т. 32. № 6. С. 235.
5. В.В. Наумов, В.Ф. Бочкарев, О.С. Трушин, А.А. Горячев Получение пленок фианита на кремниевой подложке. Неорганические материалы. 1998, т.34, № 1 , с. 57-61.
6. Бучин Э.Ю., Проказников А.В., Закономерности образования пор различной морфологии, Микроэлектроника, 1998, т.27, вып. 2, с. 107- 113.

1997 год

1. Rudakov V.I., Ovcharov V.V. Analytical solution of the diffusion equation for an extended source of infinite extent at constant temperature gradient. Int. J. of Heat and Mass Transfer. 1997, vol. 40, no. 9. P. 2231.
2. Rudakov V.I., Ovcharov V.V. Analytical solution of the diffusion equation for an instantaneous plane source at constant temperature gradient. Int. Comm. in Heat and Mass Transfer. 1997, vol.24, no.4. P. 579.
3. Trushin OS, Kokko K, Salo PT, Hergert W, Kotrla M. Step roughening effect on adatom diffusion. Phys. Rev. B 56, 12135–12138 (1997)
4. O.S.Trushin, M.Kotrla, F.Maca Energy barriers on stepped Ir/Ir(111) surface: a molecular statics calculation. Surface Science, 1997, v.389, №1-3, p.55.
5. Звездин А.К., Костюченко В.В. Фазовые переходы в анизотропных магнитных сверхрешетках. ФТТ. Т. 39. № 1. С. 178. (1997)
6. Kostyuchenko V.V., Zvezdin A.K. Spin-reorientation transitions in magnetic multilayers with cubic anisotropy and biquadratic exchange. JMMM. V. 176. Issue 2-3. P. 155-158 (1997).
7. В.Ф.Бочкарев, Р.Н.Олейник, Л.Ю.Тимофеева Высокотемпературная сверхпроводящая керамика. Патент РФ, №2076398 от 30.06.97.
8. Денисенко Ю.И., Овчаров В.В., Рудаков В.И. Особенности формирования волнового рельефа при лазерной рекристаллизации структур “кремний на изоляторе”. Физика и химия обработки материалов, 1997, № 3. С. 13.
9. Бучин Э.Ю., Проказников А.В., Характер динамики системы электролит- кремний n- типа при анодировании в растворах плавиковой кислоты, Письма в ЖТФ, 1997, т.23, вып.5, стр. 1-7.
10. Бучин Э.Ю., Проказников А.В., Управление морфологией пористого кремния n- типа, Письма в ЖТФ, 1997, т.23, вып.6, стр. 80-84.
11. Babanov Yu.E., Buchin E.Yu., Prokaznikov A.V., Svetovoy V.B., Different location of photo and electroluminescence in n-type porous silicon layer, Physica Status Solidi (a), 1997, v. 161, N 1, p.R1-R2; (электронный номер: pss/RRN-97-007).
12. Лаптев А.Н., Проказников А.В., Рудь Н.А., Гистерезис вольт- амперных характеристик светоизлучающих структур на пористом кремнии, Письма в ЖТФ, 1997, т.23, вып.11, стр. 59-65.
13. Бучин Э.Ю., Лаптев А.Н., Проказников А.В., Рудь Н.А., Световой В.Б., Чирков А.Н., Электролюминесценция и вольт- амперные характеристики структур на основе пористого кремния n- типа, Письма в ЖТФ, 1997, т.23, вып.11, стр. 70-76.
14. Prokaznikov A.V., Buchin E.Yu., Controllable formation of porous structures on n-type silicon, Phys. Low- Dim. Struct., 1997, v. 5/6, p. 47- 52.
15. Prokaznikov A.V., Buchin E.Yu., Character of dynamics in the electrolyte-n-type silicon system during anodization in HF solutions, Phys. Low- Dim. Struct., 1997, v. 5/6, p. 117- 122.
16. Babanov Yu.E., Prokaznikov A.V., Rud N.A. , Svetovoy V.B., Bright electroluminescence from planar structure on porous silicon, Physica Status Solidi (a), 1997, v. 162(2), N 1, p.R7-R8.
17. Zimin S.P., Kuznetsov V.S., Prokaznikov A.V., Change of light holes valence band in lead-tin telluride films by isovalent substitution of chalcogen atoms, Thin Solid Films, 1997, v. 310, p.194- 198.

1996 год

1. Мочалов Б.В., Рудаков В.И.. Установка для термоградиентной обработки полупроводниковых пластин. ПТО, 1996, №2, с. 155-157.
2. Амиров И.И., Изюмов М.О. Характеристики травления SiO2 и Si во фторуглеродной плазме ВЧ-индукционного разряда пониженного давления. Микроэлектроника. 1996. Т. 25. №3. С. 233.
3. Кузнецов В.С., Проказников А.В. Режимы порообразования, связанные с токовыми неустойчивостями, Письма в ЖТФ, 1996, т.22, вып. 10, с. 35-39.
4. Buchin E.Yu., Churilov A.B., Prokaznikov A.V. Different morphology aspects in n-type porous silicon, Applied Surface Science, 1996, v.102, p.431- 435.
5. Бучин Э.Ю., Проказников А.В., Чурилов А.Б., Образцова Е.Д., Ушаков В.В, Особенности формирования пористого кремния при механической деформации, Микроэлектроника, 1996, т.25, вып. 4, стр. 303-310.
6. Vasilchikova T.O., Prokaznikov A.V., Tutoring Software Creation and the Usage of Technology, New Media and Telematic Technologies for Education in Eastern European Countries (State of the Art in Media Research, Atlas of Main Research Groups, Directory for Joint European Projects),Edited by P. Kommers, A.Dovgiallo, V. Petrushin, P. Brusilovsky, 1997, Twente University Press, The Netherlands, p. 41-57.

1995 год

1. Бабарыкина В.П., Рудаков В.И. Формирование фосфида индия на кремнии для интегральных светодиодов. ПЖТФ, 1995, том 21, вып. 24, с. 20.
2. Бучин Э.Ю., Постников А.В., Проказников А.В., Световой В.Б., Чурилов А.Б., Влияние режимов обработки на морфологию и оптические свойства пористого кремни n-типа, Письма в ЖТФ, 1995, т.21, вып.1, с. 60-65.
3. Buchin E.Yu., Churilov A.B., Postnikov A.V., Prokaznikov A.V., Svetovoy V.B. Morphology and optical properties of n-type porous silicon, Phys. Low-Dim. Struct., 1995, v. 2/3, p.97-104.
4. Zimin S.P., Kuznetsov V.S., Prokaznikov A.V., Electrical characteristics of aluminum contacts to porous silicon, Applied Surface Science, 1995, v.91, p. 355-358.
5. Zimin S.P., Kuznetsov V.S., Prokaznikov A.V., Two-barrier model for description of charge carriers transport processes in structures with porous silicon, in: "Simulation of Semiconductor Devices and Processes", Vol. 6, Edited by H. Ryssel, P. Pichler, Springer-Verlag, Wien - New-York, 1995, pp. 322-324.

1994 год

1. Денисенко Ю.И., Постернак В.В., Преображенская М.Н., Рудаков В.И. Неразрушающие измерения характеристик КНИ - структур оптическими и акустическими методами. Микроэлектроника. 1994. Том 23. Вып. 6. С. 39.
2. Prokaznikov A.V.,Maslenitsyn S.F.,Svyatchenko A.A.,Pavlov S.T. Self-organization phenomena during porous silicon formation. Solid State Communications, 1994, v. 90, N 4,p.217-221.
3. Prokaznikov A.V., Mokrousov N.E., Vinke A.L., Pavlov S.T. Self-organization phenomena during pores formation in n-type silicon, Phys. Low-Dim. Struct.,1994, v.2, p.87-94.
4. Kuznetsov V.S., Prokaznikov A.V., Pavlov S.T., Zimin S.P. Physical peculiarities of porous silicon properties as a low dimensional system. Phys. Low-Dim. Struct.,1994, v.4/5, p.25 - 31.
5. Зимин С.П., Кузнецов В.С., Перч Н.В., Проказников А.В., К вопросу о механизму токопрохождения в структурах с пористым кремнием, Письма в ЖТФ, 1994, т.20, вып.22, с.22-26.

1993 год

1. Гладкий С.В., Рудаков В.Н., Саунин И.В. Свойства пленок Pb 1-xSn xTe, легированных индием. Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1993. Т. 29. № 3. С. 333.
2. Винке А.Л, Курбатов Д.А., Мокроусов Н.Е., Проказников А.В., Нестационарные процессы при порообразовании в кремнии n-типа, Электрохимия, 1993, т. 29, N 8, с. 960-963.
3. Smirnov V.K., Simakin S.G. SIMS depth profiling of implanted layers in silicon under N₂⁺ ion bombardment. Vacuum, 1993. Volume 44. Issue 9. Pages 885-887.

1992 год

1. Рудаков В.И. Теплота переноса в чистых кристаллах. ФТТ. Т. 34. Вып. 12. С. 3671 (1992)

1991 год

1. Бочкарев В.Ф., Смирнов В.К., Изюмов М.О., Наумов В.В., Горячев А.А., Симакин С.Г., Потапов Е.В., Муравьев Э.Н., Орловский В.Н., Салнынь Я.В., Тананаев И.В. Известия Академии наук СССР. Неорганические материалы. 1991, т. 27, № 1, с. 133-138.

1990 год

1. Babanov Yu.E., Prokaznikov A.V., Svetovoy V.B., Influence of the surface electron processes on the kinetics of silicon etching by fluorine atoms. Vacuum, 1990, v. 41, p. 902 - 905.

1989 год

1. Бабанов Ю.Е., Проказников А.В., Световой В.Б, Механизм травления кремния атомами фтора, Поверхность, 1989, т.4, стр.106-113.
2. Бабанов Ю.Е., Проказников А.В., Световой В.Б, Зависимость скорости травления кремния атомами фтора от адсорбционных характеристик поверхности. Химия Высоких Энергий, 1989, т.23, N 6, стр. 534-538.
3. Babanov Yu., Prokaznikov A., Svetovoy V. The Cabrera - Mott mechanism for silicon etching by fluorine atoms. J. Phys.: Condens. Matter, 1989, v. 1, p. SB197 - SB198.

1988 год

1. Брыксин В.В., Онучин В.В., Проказников А.В., Яшин Г.Ю., Равновесная скорость полярона большого радиуса в электрическом поле. Физика Твердого Тела, 1988, т.30, стр. 462-470, ( Sov. Phys. Solid State, 1988, v. 30(2), p. 261 - 265).

1986 год

1. Ланг И.Г., Павлов С.Т., Проказников А.В., Общая теория вторичного излучения в оптически анизотропной неограниченной среде, Физ. Тверд. Тела, 1986, т.28, вып.1, с. 27-37.

1985 год

1. Lang I.G., Pavlov S.T.,Prokaznikov A.V.,Goltsev A.V. General theory of secondary radiation in condensed matter. Phys.stat.sol.(b),1985, v.127, p.187-200.

1984 год

1. Ланг И.Г., Павлов С.Т., Проказников А.В., Гольцев А.В. Общая теория вторичного излучения в конденсированной среде, Препринт ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР, Ленинград, 1984, N 866, 42 с. перевод: Lang I.G., Pavlov S.T., Prokaznikov A.V., Goltsev A.V. General theory of secondary radiation in condensed matter. Preprint of Physical - Technical Institute A.F. Ioffe, Academy of Sciences of the USSR, Leningrad, 1984, N 866, 42 p.
2. Ланг И.Г., Павлов С.Т., Проказников А.В., Теория вторичного излучения в анизотропных конденсированных средах, Физ. Тверд. Тела, 1984, т.26, вып. 12, с. 3703-3704.

1983 год

1. Zinov'ev N.N., Ivanov L.P., Lang I.G., Pavlov S.T., Prokaznikov A.V., Yaroshetskii I.D. Exciton diffusion and the mechanism of exciton momentum scattering in semiconductors. JETP, Vol. 57, No 6, p. 1254 (June 1983)
2. Зиновьев Н.Н., Иванов Л.П., Ланг И.Г., Павлов С.Т., Проказников А.В., Ярошецкий И.Д. Диффузия экситонов и механизмы рассеяния их импульса в полупроводниках, ЖЭТФ, 1983, т.84, N 6, с.2153-2167.
3. Проказников А.В., Ланг И.Г., Павлов С.Т., Время релаксации импульса экситонов Ванье-Мотта при рассеянии на заряженных примесях, Физ. Тверд. Тела, 1983, т.25, вып. 8, с. 2354-2359.

1982 год

1. Зиновьев Н.Н., Иванов Л.П., Ланг И.Г., Павлов С.Т., Проказников А.В., Ярошецкий И.Д. Релаксация импульса свободных экситонов в полуроводниках, Письма в ЖЭТФ, 1982, т.36, N 1, с.12-15.