Лаборатория исследования формирования многослойных структур

Заведующий лабораторией к.ф-м.н. Трушин О.С.

Основные направления исследований

Разработка технологии изготовления многослойных магнито-резистивных структур и перспективных элементов спинтроники на их основе

  • - Изучение особенностей магнитных состояний в одно- и многослоных наноструктурах.
  • - Разработка методов контроля качества на всех этапах технологии изготовления магнито-туннельных переходов и спиновых вентилей.
  • - Изучение возможностей записи информации в нанопроводах на основе доменных стенок и магнитных вихрей (скирмионов.)
  • - Развитие методов микромагнитного моделирования магнитных наноструктур.
Публикации
  1. О.С. Трушин, В. В. Наумов, Н. И. Барабанова, В. Ф. Бочкарев «Влияние технологических факторов на микромагнитные состояния магнитных наноструктур» // Известия РАН. сер. Физическая. 2014, т.78, № 1, с.32-35
  2. О.С. Трушин, В.В. Наумов, А.А. Мироненко, Л.А. Мазалецкий «Проблемы экспериментальной реализации ячееки памяти MRAM» // Интеграл, 2014, т.76, № 4 , стр. 40-41.
  3. O.S. Trushin, Mazaletskiy L.A., Rudy A.S., Naumov V.V., Mironenko A.A., Vasilev S V. «Problems of the experimental implementation of MTJ» // Journal of Physics: Conference Series. 2015, v. 643 p. 012105.
  4. О.С. Трушин, Н.И. Барабанова «Комплекс программ микромагнитного моделирования MICROMAG и его использование для исследования элементов спинтроники» // Микроэлектроника, 2013, т.42 , стр.218-226.
  5. О.С. Трушин , Н.И. Барабанова «Особенности энергетического рельефа прямоугольного магнитного наноострова», // Микроэлектроника, 2017, т.46, № 5, с.332-339.
  6. О.С. Трушин, С.Г. Симакин, С.В. Васильев, Е.А. Смирнов «Контроль качества многослойной спин-туннельной структуры с использованием комбинации методов анализа» // Микроэлектроника 2018, направлено в печать.

Исследование атомных механизмов эпитаксиального роста пленочных структур

  • - Изучение механизмов поверхностной и межслойной диффузии в условиях эпитаксии.
  • - Изучение механизмов релаксации упругих напряжений в гетеро-эпитаксиальных структурах.
Публикации
  1. О.С. Трушин, А. Н. Куприянов, С.-Ч. Инг, Э. Гранато, Т. Ала-Ниссила «Атомные механизмы релаксации упругих напряжений в гетероэпитаксиальной структуре Cu/Ni(001)» // Микроэлектроника, 2015, том 44, № 6, с. 459–463.
  2. O. Trushin, E. Maras, A. Stukowski, E. Granato, S.C. Ying, H. Jonsson, and T. Ala-Nissila «Minimum energy path for the nucleation of misfit dislocations in Ge/Si(001) heteroepitaxy» // Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering, 2016, v. 24, n. 3, p. 035007.
  3. E. Maras, O. Trushin, A. Stukowski, T. Ala-Nissila, H. Jónsson «Global transition path search for dislocation formation in Ge on Si(001)» // Computer Physics Communications, 2016, v. 205 p. 13.

Разработка технологии изготовления диэлектриков и широкозонных аморфных полупроводников с инкорпорированными кластерами материала с меньшей шириной запрещенной зоны.

  • - Изучение эффекта переключения проводимости в таких материалах и оптимизация запоминающих элементов на его основе.
  • - Изучение способов инкорпорирования в широкозонные полупроводники и диэлектрики на базе кремния кластеров материалов с меньшей шириной запрещенной зоны во время плазмохимического осаждения для получения пленок, обладающим эффектом переключения проводимости.
  • - Изучение способов формирования пленок оксидов металлов с включениями полупроводниковых кластеров обладающих эффектом переключения проводимости.

На основе результатов исследований были получены квази-МОП структуры, обладающие эффектом переключения проводимости в рамках обычных технологий микроэлектроники. Разработана топология экспериментальной запоминающей ячейки. Изготовлены и протестированы многослойные структуры, заменяющие оксид, обладающие эффектом переключения проводимости. Созданы экспериментальные образцы элементов памяти.

Основные публикации

2007

  1. Бердников А.Е., Попов А.А., Черномордик В.Д. Способ получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу. Патент РФ на изобретение № 2292606 (H 01 L 21/205)Приоритет от 14 декабря 2004, зарегистрировано 27 января 2007 г.
  2. A.E. Berdnikov, A.A. Popov, A.A. Mironenko, V.D. Chernomordick. Memory Effect in Dielectric with Incorporated Nanosize Clusters // Abstracts of International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2007”, Oct.1th-5th, 2007, Moscow-Zvenigorod, Russia, O2-3
  3. S.A.Arzannikova, M.D.Efremov, A.A.Voschenkov, V.A. Volodin, G.N.Kamaev, D.V. Marin, V.S.Shevchuk, S.A.Kochubei, A.A.Popov, Yu.A.Minakov. Falling Down Capacitance Impedance Under Light Illumination of MDS-structure with Three-layer SiNx Dielectrics. // Abstracts of International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2007”, Oct.1th-5th, 2007, Moscow-Zvenigorod, Russia, O3-28.

2008

  1. М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Д.В. Марин, С.А. Аржанникова, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, А.А. Попов Вариация края поглощения света в пленках SiNx с кластерами кремния // Физика и техника полупроводников, 2008, том 42, вып. 2, стр.202-207.
  2. S.A. Arzhannikova, M.D. Efremov, V.A. Volodin, G.N. Kamaev, D.V. Marin, V.S. Shevchuk, S.A. Kochubei, A.A. Popov, Yu.A. Minakov Photoinduced variation of capacitance characteristics of MDS-structures with three-layer SiNx dielectrics. // Solid State Phenomena Vols. 131-133 (2008) pp. 461-466.
  3. А.Е. Бердников, А.А. Попов, А.А. Мироненко, В.Д. Черномордик Эффект памяти в SiOx с включенными кластерами кремния // В сб.трудов VI международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники. С.-Пб, 7-9 июля 2008г. с. 124-125.
  4. А.А. Попов, А.А. Мироненко, А.Е. Бердников, В.Д. Черномордик, М.Д. Ефремов, В.А. Володин Электролюминесценция пленок нитрида кремния // В сб.трудов VI международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники. С.-Пб, 2008. с. 150-151.
  5. Бердников А.Е., Мироненко А.А., Попов А.А., Черномордик В.Д. Эффект памяти в пленках SiOx, осажденных в плазме низкочастотного разряда // В сб.трудов 5 международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии ISTAPC-2008, Иваново, 2008.

2009

  1. A.E. Berdnikov, A.A. Popov, A.A. Mironenko, V.D. Chernomordick, A.V.Perminov Effect of Conductivity Triggering: Studying and Optimization of MOS-like Structures // Тезисы ICMNE-2009.

Разработка микроприборов на основе эмиссионных катодов из углеродных нанотрубок.

  • - Исследование и разработка методов MOCVD роста УНТ, разработка опытного реактора, стендов испытаний эмиссии УНТ.
  • - Разработка технологии формирования матриц автоэмисиионных наноприборов.
  • - Исследование гибридных материалов на основе УНТ, металлических нанокластеров и проводящих полимеров для технологии наноэлектроники и фотовольтаики.

Разработан метод пиролитического каталитического синтеза углеродных нанотрубок
А) на закрепленном слое пленочного металлического катализатора на кремниевом субстрате.
B) распылительным пиролизом с металлоорганическим прекурсором катализатора.
Исследованы и разработаны процессы роста углеродных нанотрубок типа «лес нанотрубок».

Основные публикации
  1. Savinski N.Gitlin M., Shornikov A. Design of 3D nano-carbon emitter based autoemission devices. “Micro- and nanoelectronics – 2009”, October 5th-9th, 2009, Moscow-Zvanigorod, Russia. Book of abstracts, P1-06.
  2. Orlov S., Gushin O., Yanovich S., Shyshko V., Perveeva O., Savinsky. Investigation of auto-emission diode with CNT emitter under small inter- electrode distance conditions “Micro- and nanoelectronics – 2009”, October 5th-9th, 2009, Moscow-Zvanigorod, Russia. Book of abstracts, P1-05.
  3. Н.Г.Савинский; А.А.Шорников; М.Л.Гитлин // 3D нано-интегрированные автоэмиссионные матрицы наноприборов на основе углеродных наноэмиттеров. Материалы Второго международного форума по нанотехнологиям Роснанотех Москва 2009.

Лаборатории

Новости и события
Конкурс на замещение вакантной научной должности
14.05.2018
Поздравляем!
15.03.2018
Семинар 14 марта 2018
13.03.2018
Конкурс на замещение вакантных научных должностей
01.02.2018
Конкурс на замещение вакантных научных должностей
09.01.2018
Семинар 20 декабря 2017
18.12.2017
Конкурс на замещение вакантной научной должности
06.12.2017
Конкурс на замещение вакантной научной должности
05.12.2017
Подготовка индивидуальных рейтинговых показателей
20.11.2017
Конкурс на замещение вакантной научной должности
01.11.2017
Контактная информация
Корпус А
150007, г. Ярославль, ул. Университетская, д. 21
+7 (4852) 24-65-52 (приемная)
+7 (4852) 24-09-55 (бухгалтерия)
Корпус Б
150055, г. Ярославль, ул. Красноборская, д. 3
+7 (4852) 24-53-53