Лаборатория исследования формирования многослойных структур
Руководитель структурного подразделения к.ф-м.н. Трушин О.С.Основные направления исследований
Получение и исследование наноструктурированных пленок металлов методом наклонного напыления
- - Определение оптимальных условий наноструктурирования при наклонном напылении
- - Разработка компьютерных моделей роста пленок в условиях наклонного напыления
- - Исследование магнитных характеристик наноструктурированных пленок
- - Получение массивов наноспиралей методом наклонного напыления с вращением подложки
- - Исследование оптических характеристик киральных поверхностей
Публикации
- Трушин О.С., Попов А.А., Пестова А.Н., Мазалецкий Л.А., Акулов А.А. «Наноструктурирование при наклонном напылении алюминия» //Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47, В. 12, С. 31
- A A Akulov, O S Trushin, A A Popov, A N Pestova, L A Mazaletsky and A A Lomov “Nanostructuring at oblique incidence deposition of cobalt” // Journal of Physics: Conference Series 2021, V. 2086 P. 012001
- О. С. Трушин , А. А. Попов , А. Н. Пестова, Л. А. Мазалецкий , А. А. Акулов, А. А. Ломов «Наноструктурирование при наклонном напылении кобальта» // Изв. РАН. Сер. ФИЗИЧЕСКАЯ, 2022, том 86, No 5, с. 650–654.
- Фаттахов И.С. и др. «Рост наноструктурированной плёнки кобальта при наклонном напылении» // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. Т. 15. № 3.3 SPbOPEN2022.
Разработка технологии изготовления многослойных магнито-резистивных структур и перспективных элементов спинтроники на их основе
- - Изучение особенностей магнитных состояний в одно- и многослоных наноструктурах.
- - Разработка методов контроля качества на всех этапах технологии изготовления магнито-туннельных переходов и спиновых вентилей.
- - Изучение возможностей записи информации в нанопроводах на основе доменных стенок и магнитных вихрей (скирмионов.)
- - Развитие методов микромагнитного моделирования магнитных наноструктур.
Публикации
- О.С. Трушин, В. В. Наумов, Н. И. Барабанова, В. Ф. Бочкарев «Влияние технологических факторов на микромагнитные состояния магнитных наноструктур» // Известия РАН. сер. Физическая. 2014, т.78, № 1, с.32-35
- О.С. Трушин, В.В. Наумов, А.А. Мироненко, Л.А. Мазалецкий «Проблемы экспериментальной реализации ячееки памяти MRAM» // Интеграл, 2014, т.76, № 4 , стр. 40-41.
- O.S. Trushin, Mazaletskiy L.A., Rudy A.S., Naumov V.V., Mironenko A.A., Vasilev S V. «Problems of the experimental implementation of MTJ» // Journal of Physics: Conference Series. 2015, v. 643 p. 012105.
- О.С. Трушин, Н.И. Барабанова «Комплекс программ микромагнитного моделирования MICROMAG и его использование для исследования элементов спинтроники» // Микроэлектроника, 2013, т.42 , стр.218-226.
- О.С. Трушин , Н.И. Барабанова «Особенности энергетического рельефа прямоугольного магнитного наноострова», // Микроэлектроника, 2017, т.46, № 5, с.332-339.
- О.С. Трушин, С.Г. Симакин, С.В. Васильев, Е.А. Смирнов «Контроль качества многослойной спин-туннельной структуры с использованием комбинации методов анализа» // Микроэлектроника 2018, направлено в печать.
- O.S Trushin,. E. Granato, S.C Ying,.”Energetics of domain wall in magnetic nanowire “// Proc. SPIE. 2019. V. 11022, P. 110221L.
- Trushin, O.S.; Вarabanova N.I. “Energetics of domain wall in magnetic nanowire” // Journal of Physics: Conf. Ser. 2019, V. 1389, P. 012003.
- О.С. Трушин, Н.И. Барабанова «Прецессия доменной стенки в узком магнитном нанопроводе» // Микроэлектроника, 2021, т. 50, № 1, стр. 74-79.
- A N Pestova, O.S. Trushin «Four-point probe stand for magnetoresistance measurement of unpatterned sample» // Journal of Physics: Conference Series, 2021, V. 2086, P. 012062
Исследование атомных механизмов эпитаксиального роста пленочных структур
- - Изучение механизмов поверхностной и межслойной диффузии в условиях эпитаксии.
- - Изучение механизмов релаксации упругих напряжений в гетеро-эпитаксиальных структурах.
Публикации
- О.С. Трушин, А. Н. Куприянов, С.-Ч. Инг, Э. Гранато, Т. Ала-Ниссила «Атомные механизмы релаксации упругих напряжений в гетероэпитаксиальной структуре Cu/Ni(001)» // Микроэлектроника, 2015, том 44, № 6, с. 459–463.
- O. Trushin, E. Maras, A. Stukowski, E. Granato, S.C. Ying, H. Jonsson, and T. Ala-Nissila «Minimum energy path for the nucleation of misfit dislocations in Ge/Si(001) heteroepitaxy» // Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering, 2016, v. 24, n. 3, p. 035007.
- E. Maras, O. Trushin, A. Stukowski, T. Ala-Nissila, H. Jónsson «Global transition path search for dislocation formation in Ge on Si(001)» // Computer Physics Communications, 2016, v. 205 p. 13.
- O.S. Trushin «Competing mechanisms of strain relaxation in Ge/Si(001) heteroepitaxy» // Proc. of SPIE, 2022, V. 12157, PP. 121571-D1 – 12157-D7.
Разработка технологии изготовления диэлектриков и широкозонных аморфных полупроводников с инкорпорированными кластерами материала с меньшей шириной запрещенной зоны.
- - Изучение эффекта переключения проводимости в таких материалах и оптимизация запоминающих элементов на его основе.
- - Изучение способов инкорпорирования в широкозонные полупроводники и диэлектрики на базе кремния кластеров материалов с меньшей шириной запрещенной зоны во время плазмохимического осаждения для получения пленок, обладающим эффектом переключения проводимости.
- - Изучение способов формирования пленок оксидов металлов с включениями полупроводниковых кластеров обладающих эффектом переключения проводимости.
На основе результатов исследований были получены квази-МОП структуры, обладающие эффектом переключения проводимости в рамках обычных технологий микроэлектроники. Разработана топология экспериментальной запоминающей ячейки. Изготовлены и протестированы многослойные структуры, заменяющие оксид, обладающие эффектом переключения проводимости. Созданы экспериментальные образцы элементов памяти.
Основные публикации
2007
- Бердников А.Е., Попов А.А., Черномордик В.Д. Способ получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу. Патент РФ на изобретение № 2292606 (H 01 L 21/205)Приоритет от 14 декабря 2004, зарегистрировано 27 января 2007 г.
- A.E. Berdnikov, A.A. Popov, A.A. Mironenko, V.D. Chernomordick. Memory Effect in Dielectric with Incorporated Nanosize Clusters // Abstracts of International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2007”, Oct.1th-5th, 2007, Moscow-Zvenigorod, Russia, O2-3
- S.A.Arzannikova, M.D.Efremov, A.A.Voschenkov, V.A. Volodin, G.N.Kamaev, D.V. Marin, V.S.Shevchuk, S.A.Kochubei, A.A.Popov, Yu.A.Minakov. Falling Down Capacitance Impedance Under Light Illumination of MDS-structure with Three-layer SiNx Dielectrics. // Abstracts of International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2007”, Oct.1th-5th, 2007, Moscow-Zvenigorod, Russia, O3-28.
2008
- М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Д.В. Марин, С.А. Аржанникова, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, А.А. Попов Вариация края поглощения света в пленках SiNx с кластерами кремния // Физика и техника полупроводников, 2008, том 42, вып. 2, стр.202-207.
- S.A. Arzhannikova, M.D. Efremov, V.A. Volodin, G.N. Kamaev, D.V. Marin, V.S. Shevchuk, S.A. Kochubei, A.A. Popov, Yu.A. Minakov Photoinduced variation of capacitance characteristics of MDS-structures with three-layer SiNx dielectrics. // Solid State Phenomena Vols. 131-133 (2008) pp. 461-466.
- А.Е. Бердников, А.А. Попов, А.А. Мироненко, В.Д. Черномордик Эффект памяти в SiOx с включенными кластерами кремния // В сб.трудов VI международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники. С.-Пб, 7-9 июля 2008г. с. 124-125.
- А.А. Попов, А.А. Мироненко, А.Е. Бердников, В.Д. Черномордик, М.Д. Ефремов, В.А. Володин Электролюминесценция пленок нитрида кремния // В сб.трудов VI международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники. С.-Пб, 2008. с. 150-151.
- Бердников А.Е., Мироненко А.А., Попов А.А., Черномордик В.Д. Эффект памяти в пленках SiOx, осажденных в плазме низкочастотного разряда // В сб.трудов 5 международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии ISTAPC-2008, Иваново, 2008.
2009
- A.E. Berdnikov, A.A. Popov, A.A. Mironenko, V.D. Chernomordick, A.V.Perminov Effect of Conductivity Triggering: Studying and Optimization of MOS-like Structures // Тезисы ICMNE-2009.
Разработка микроприборов на основе эмиссионных катодов из углеродных нанотрубок.
- - Исследование и разработка методов MOCVD роста УНТ, разработка опытного реактора, стендов испытаний эмиссии УНТ.
- - Разработка технологии формирования матриц автоэмисиионных наноприборов.
- - Исследование гибридных материалов на основе УНТ, металлических нанокластеров и проводящих полимеров для технологии наноэлектроники и фотовольтаики.
Разработан метод пиролитического каталитического синтеза углеродных нанотрубок
А) на закрепленном слое пленочного металлического катализатора на кремниевом субстрате.
B) распылительным пиролизом с металлоорганическим прекурсором катализатора.
Исследованы и разработаны процессы роста углеродных нанотрубок типа «лес нанотрубок».
Основные публикации
- Savinski N.Gitlin M., Shornikov A. Design of 3D nano-carbon emitter based autoemission devices. “Micro- and nanoelectronics – 2009”, October 5th-9th, 2009, Moscow-Zvanigorod, Russia. Book of abstracts, P1-06.
- Orlov S., Gushin O., Yanovich S., Shyshko V., Perveeva O., Savinsky. Investigation of auto-emission diode with CNT emitter under small inter- electrode distance conditions “Micro- and nanoelectronics – 2009”, October 5th-9th, 2009, Moscow-Zvanigorod, Russia. Book of abstracts, P1-05.
- Н.Г.Савинский; А.А.Шорников; М.Л.Гитлин // 3D нано-интегрированные автоэмиссионные матрицы наноприборов на основе углеродных наноэмиттеров. Материалы Второго международного форума по нанотехнологиям Роснанотех Москва 2009.