Публикации сотрудников ЯФ ФТИАН за 2007 год

  1. V.V. Kostyuchenko. Non-Heisenberg exchange interactions in the molecular magnet Ni4Mo12. Phys. Rev. B v. 76, 212404 (2007).
  2. В.В. Овчаров, В.И. Рудаков. Влияние температурной зависимости коэффициента диффузии на эволюцию гауссова профиля в температурном поле. Микроэлектроника, т. 36, № 2, с. 142-149, (2007).
  3. Шумилов А.С., Амиров И.И. Моделирование формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом, циклическом травление/пассивация процессе. Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 4. с. 295.
  4. Морозов О.В., Амиров И.И. Аспектнонезависимое анизотропное травление кремния в плазмохимическом, циклическом процессе. Микроэлектроника, 2007. Т. 36. №5. С. 380.
  5. В.М. Мордвинцев, С.Е. Кудрявцев. Исследование проводимости и электроформовки открытых «сэндвич»-структур Si-SiO2-W на высоколегированном кремнии. Микроэлектроника, 2007, Т. 36, № 6, С. 1-14.
  6. О.С. Трушин, П.И. Викулов, A. Карим, А. Кара, Т. Рахман. Исследование диффузионных процессов на поверхности металлов методом Самообучаемого Кинетического Монте-Карло. Математическое Моделирование, № 3, 2007.
  7. Bachurin V.I., Krivelevich S.A., Potapov E.V., Churilov A.B. Study of the interaction of argon and nitrogen ions with the silicon dioxide surface. Jornal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, v.1, No 2, pp. 136 - 140. (2007).
  8. Ю.Н. Канагеева, А.Ю. Савенко, В.В. Лугонин, В.А. Ношников, С.П. Зимин, Э.Ю. Бучин. Макропористый кремний при препарировании остросфокусированным пучком. Петербургский журнал электроники, 2007, № 1, с. 30-35.
  9. S.P. Zimin, E.A. Bogoyavlenskaya, E.S. Gorlachev, V.V. Naumov, D.S. Zimin, H. Zogg and M. Arnold. Structural properties of Pb1−xEuxSe/CaF2/Si (1 1 1). Semicond. Sci. and Technol. V. 22. 1317 (2007).
  10. S P Zimin, E S Gorlachev, I I Amirov, M N Gerke, H Zogg and D Zimin. Role of threading dislocations during treatment of PbTe films in argon plasma. Semicond. Sci. and Technol. V. 22. 929 (2007).
  11. С.П. Зимин, Е.С. Горлачев, М.Н. Герке, С.В. Кутровская, И.И. Амиров. Морфология поверхности эпитаксиальных пленок Pb1−xEuxSe после плазменной обработки. Известия вузов. Физика. Т. 50. № 11. С. 90 (2007).
  12. Богоявленская Е.А., Зимин С.П. Изучение кристаллов и пленочных структур AIVBVI методом полюсных фигур. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2007. № 2. С. 67-71.
  13. И.И. Амиров, О.В. Морозов, М.О. Изюмов. Плазмохимический реактор низкого давления для травления и осаждения материалов. Патент РФ № 2293796. 2007.
  14. И.И. Амиров, О.В. Морозов. Способ формирования субмикронной и нанометровой структуры. Патент РФ № 2300158. 2007.
  15. А.Е. Бердников, А.А. Попов, В.Д. Черномордик. Способ получения квантоворазмерных структур на основе кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу. Патент РФ № 2292606. 2007.
Тезисы и доклады конференций сотрудников ЯФ ФТИАН за 2007 год

Лаборатории

Новости и события
Конкурс на замещение вакантных научных должностей
03.07.2019
Конкурс на замещение вакантной научной должности
19.03.2019
ICMPSN 2019
11.03.2019
Конкурс на замещение вакантной научной должности
27.02.2019
Профессор Сергей Божевольный награжден престижной премией
29.01.2019
Конкурс на замещение вакантной научной должности
25.12.2018
Конкурс на замещение вакантной научной должности
16.11.2018
Конкурс «Изобретено в Ярославской области»
26.10.2018
Срок сдачи ИРП до 2 ноября!
16.10.2018
Переименование ЯФ ФТИАН РАН
11.10.2018
Контактная информация
Корпус А
150007, г. Ярославль, ул. Университетская, д. 21
+7 (4852) 24-65-52 (приемная)
+7 (4852) 24-09-55 (бухгалтерия)
Корпус Б
150055, г. Ярославль, ул. Красноборская, д. 3
+7 (4852) 24-53-53